強誘電体メモリーの新展開 - 石原宏

強誘電体メモリーの新展開

Add: xanefiwa54 - Date: 2020-11-21 09:33:12 - Views: 7311 - Clicks: 6928

石原宏【監修】. 232 BSH : 半導体記憶装置 BSH : 強誘電体: 注記: 原書 (Berlin : Springer-Verlag, c) の翻訳 参考文献: p236-255: タイトルのヨミ、その他のヨミ: キョウユウデンタイ メモリ : ブツリ カラ オウヨウ マデ: TTLL. 強誘電体メモリーの新展開』石原宏、シーエムシー出版、年2月。isbn。 ジェームズ・スコット『強誘電体メモリ 物理から応用まで』田中均洋・三浦薫・磯辺千春訳、シュプリンガー・フェアラーク東京、年11月1日。 isbn。. FeRAMに用いられる強誘電体膜の材料には以下のような性質が要求される。 大きい残留分極 1. 3 強誘電体をゲートする方式 強誘電体メモリにおけるスケーリング. 2 形態: iv, 134p ; 26cm 著者名: 石原, 宏 書誌ID: BAISBN:.

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分極反転しない場合の変位電流を低減して読み出しエラーを避けられる 低い抗電界 1. 強誘電体メモリーの基礎から最新のトピックスまでを取り上げ、強誘電体メモリーの現状と将来動向を紹介。 強誘電体メモリ-の新展開 / 石原 宏【監修】 - 紀伊國屋書店ウェブストア. 強誘電体メモリーの新展開 責任表示: 石原宏監修 言語: 日本語 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,. 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいメモリ、英: Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM )は、強誘電体のヒステリシス(履歴現象)を利用し正負の自発分極を1と0に対応させた、不揮発性の半導体メモリ。. 小さなキャパシター面積で大きな分極反転電流を実現してメモリセルアレイ部分の回路レイアウトにおいて高密度化を実現できる 低い比誘電率 1. 6 形態: 377p ; 31cm 著者名: 塩崎, 忠(1944-) 書誌ID: BNフォーマット: 図書. 世界で初めてFeRAMを実用化したのはレイコム・システムズである。それは256bits品で非接触ICカードでの利用をターゲットとして開発された。 FeRAMは、従来広く用いられてきたEEPROMよりも、動作が高速で消費電力が低く、セルサイズも15F2と小さく、マスクの追加が少なくて済むなど半導体製造プロセスとの相性も良い。このため、年に富士通のFRAMがソニーのFelicaに採用されるなど、少なくとも日本国内においては、既に一般生活において身近に普及している。 ただし、PCなどに搭載されるメインメモリの代替としては未だに実用化の目途は立っていない。. 「強誘電体薄膜の基礎と応用」-インテリジェントメモリーをめざして- 10:00 半導体メモリ素子の新展開-強誘電体メモリの現状と課題- 垂井康夫(早稲田大学) Amazonで宏, 石原の強誘電体メモリーの新展開。アマゾンならポイント還元本が多数。宏, 石原作品ほか、お急ぎ便対象商品は当日お届けも可能。.

2 形態: iv, 134p ; 26cm ISBN:著者名: 石原, 宏 書誌ID: BA注記:. Springer(New York),()EDITED BY Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama and Yoshihiro Arimoto;Yasuo Cho: 13. 『強誘電体メモリーの新展開』石原宏、シーエムシー出版、年2月。isbn。 ジェームズ・スコット『強誘電体メモリ 物理から応用まで』田中均洋・三浦薫・磯辺千春訳、シュプリンガー・フェアラーク東京、年11月1日。 isbn。.

※2 強誘電体メモリー(fram) framとは、強誘電体の分極ヒステリシス特性を利用した不揮発性メモリーの総称。強誘電体薄膜をデータ保持用のキャパシタとして利用することで、電源を切っても"1"と"0"の信号が消えないメモリーが構築される。. FeRAMのセルにはキャパシターが用いられており、この意味においては、DRAMと基本的に類似したセルである。しかし、このキャパシターの極板間の材料には強誘電体が用いられているという点で、FeRAMはDRAMとは大きく異なる。 メモリセル構成としては、FeRAMには大きく分けて2種類が提案されている。具体的には、強誘電体キャパシター(C)とメモリセル選択用のMOSFET(T)を組み合わせる1T1C型(キャパシター型)と、これをベースにして2つのキャパシターを逆向きに分極させることでデータの信頼性を高めている2T2C型である。なお、1T1C型はDRAMと同じメモリセル構成でもある。 更に、この他に、ゲート絶縁膜が強誘電体から成るMFS-FET又はMFMIS-FETを用いる1T型(トランジスター型)が存在し、これは特にFFRAMと呼ばれて区別されている。 FeRAMでは、FETをオンさせただけではビット線にはデータは出力されない。何故ならば、セルであるキャパシターに電圧が印加されない状態では、セルに記憶されているデータが1であるか0であるかは強誘電体膜中に保存されているので、それを読み出すにはソースプレートを駆動してキャパシターに電圧を印加して強誘電体膜中の分極を外部に電荷量として読み出さなければならないからである(これは読み出しに静電容量が極めて大きいセルキャパシターを駆動する時間を必要とすることも意味する。)。従って、FeRAMにおいては、ワード線とビット線以外にも、ソースプレートの駆動線と特定のセルのそれを駆動するためのデコーダー回路が必要となる。 このためFeRAMでは、セルの微細化やアクセス速度の高速化は困難であった。これらの欠点を克服すべく、東芝がChainFeRAMと呼ばれる新しいメモリセル構造のFeRAMを年に発表している。. 石原, 宏 Catalog. 1 最初の実験成功 2. Recent progress in ferroelectric memories.

強誘電体メモリーの基本動作と信頼性: 嶋田恭博: 強誘電体メモリーの応用: 桝井昇一: 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待: 石原 宏: 強誘電体メモリーインテグレーション: 有本由弘, 田村哲朗: 強誘電体ロジック回路: 淵上貴昭. 2 Description: iv, 134p ; 26cm Authors: 石原, 宏 ISBN:NCID: BA66123763. Amazon Advertising 商品の露出でお客様の関心と 反応を引き出す: Audible(オーディブル) 本は、聴こう。 最初の1冊は無料: アマゾン ウェブ サービス(AWS) クラウドコンピューティング サービス. シーエムシー出版. タイトル 著作者等 出版元 刊行年月; 記録・メモリ材料ハンドブック: 逢坂哲彌, 山崎陽太郎, 石原宏 編: 朝倉書店.

2 形態: iv, 134p ; 26cm 著者名: 石原, 宏 ISBN:書誌ID: BAフォーマット: 図書. 低電圧駆動に拠る省電力化 小さいリーク電流 強誘電体メモリーの新展開 - 石原宏 1. 強誘電体メモリーの新展開 フォーマット: 図書 責任表示: 石原宏監修 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,. 書き込みエラーを減らせる なお、インプリントや分極反転疲労及びリーク電流は強誘電体膜内部の結晶粒界や結晶欠陥に起因する。 上記の条件を満たす材料として、下記の様な、従来の半導体製造プロセスでは使用されていないセラミック材料が存在する。これらの多くの強誘電体材料では、分極が容易な軸の方向に沿った異なる2つの分極状態を利用してデータの書き込みや読み出しを行っている。言い換えれば、強誘電体結晶の多くは、結晶の対称性によってその分極状態の数は限られている。.

電源を切っても室温で10年間以上に亘る残留分極(データ)保持(リテンション)特性 小さい分極反転疲労(ファティーグ)特性 1. 強誘電体メモリーの新展開 / 石原宏監修 資料種別: 図書 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,. 強誘電体メモリーの新展開 フォーマット: 図書 責任表示: 石原宏監修 言語: 日本語 出版情報: 東京 : シーエムシー出版,. Bib: BANotes: 『機能材料』 (年8月号) の特集「次世代強誘電体メモリーの動向と展望」 に5編の論文を追加してまとめたもの. 強誘電体メモリーの新展開 Format: Book Responsibility: 石原宏監修 Language: Japanese Published: 東京 : シーエムシー出版,.

1 反転電流検出方式 3. シーエムシー出版,()石原宏監修;長 康雄: 12. 10年程度の動作保証性を実現するための目安として1012回(理想的には1015回)以上の分極反転に耐えられる 小さいインプリント(刷り込み)特性 1. 半導体記憶装置; 強誘電体: 分類・件名: NDC8 : 548. 研究者「石原 宏」の詳細情報です。j-global 科学技術総合リンクセンターは研究者、文献、特許などの情報をつなぐことで、異分野の知や意外な発見などを支援する新しいサービスです。. 2 高い誘電率でのdram方式 3. 強誘電体メモリ-の新展開 - 石原宏 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!.

2 材料、構造を変えての試み 強誘電体メモリの方式と進歩 3. ユーザーレビュー|強誘電体メモリーの新展開|書籍, 本情報|建築・理工|HMV&BOOKS online Pontaポイント使えます! 支払い方法、配送方法もいろいろ選べ、非常に便利です!. 2 形態: iv, 134p ; 26cm 著者名: 石原, 宏 ISBN:書誌ID: BA66123763. 強誘電体メモリの初期の実験 2. 強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待 (〔機能材料〕創刊22周年特集 強誘電体メモリーの動向と展望) 解説記事 適応学習機能を持つ人工ニューロン回路. 半導体デバイス工学 - 石原宏 - 本の購入は楽天ブックスで。全品送料無料!購入毎に「楽天ポイント」が貯まってお得!. Ferroelectric Random Access Memories –Fundamentals and Applications.

シーエムシー出版,. 強誘電体薄膜メモリ 責任表示: 塩嵜忠 ほか 編集委員 言語: 日本語; 英語 出版情報: 東京 : サイエンスフォーラム, 1995.

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